脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的电学性能研究

室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜.研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响.X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构;原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面;X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化;对薄膜的热敏电学特性测试发现,在293～368 K,小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制.     

面向球面虚拟实景底部空洞的快速修补算法

本文提出一种针对球面虚拟实景底部空洞的快速修复算法,首先获取球面全景与球面虚拟实景间映射关系,并基于不同时刻球面虚拟实景间的空间位置关系建立位置映射模型,然后通过求解得到不同时刻球面全景之间的对应关系并实现缺失部分的修补,最后通过对修补区域亮度的调整及边缘融合,对修补结果进行优化.理论分析和实验结果均表明,该方法利用底部空洞位置固定这一特点建立复杂度仅为O(n)的修补算法,能够快速有效的实现球面实景底部空洞的修复.     

基于粒子群优化的直觉模糊核匹配追踪算法

针对现有直觉模糊核匹配追踪算法采用贪婪算法搜索最优基函数而导致学习时间过长的问题,汲取了粒子群优化算法全局搜索能力强、收敛速度快的优势对最优基函数的搜索过程进行优化,提出了一种基于粒子群优化的直觉模糊核匹配追踪算法,并将该算法应用于时效性要求更高的空天目标识别领域.实验结果表明,与传统方法相比,本文方法在识别率相当的情况下有效缩短一次匹配追踪时间,计算效率明显提高,且所得模型具有稀疏性好,泛化能力高等优点,特别适用于兼顾识别率和实时性的应用领域.     

变极距电容位移传感器的双频激励方法研究

针对变极距电容位移传感器提出了一种双频激励方法。同时采用低频、高频正弦电压源激励平板发射电极,通过电容耦合效应将极距变化转换为双频调幅信号,并通过高阻抗缓冲、带通滤波、精密整流电路获得双路位移调制电压信号。采用数字信号处理器（DSP）同步采集双路位移调制电压信号以及参考位移信号,对高、低频激励方式下的位移检测分辨率、纹波、动态响应速度等性能进行了对比分析。实验结果表明：双频激励时,通道间耦合作用较小,低频激励方式在位移分辨率、测量范围、线性度、抗干扰等指标上显著优于高频激励;高频激励在动态响应速度上具有明显优势。     

等温时效对SnSb4.5CuNi/Cu焊接接头力学性能的影响

SnSb4.5CuNi/Cu焊点在175℃进行等温时效,分析了不同时效时间的SnSb4.5CuNi/Cu焊点中金属间化合物(IMC)组织形貌演变,通过纳米压痕法测量SnSb4.5CuNi/Cu焊点界面IMC的硬度和弹性模量,对焊接接头进行拉伸强度和低周疲劳测试。结果表明,时效48 h的焊缝中Cu6Sn5呈曲率半径均匀的半圆扇贝状特征,IMC的弹性模量与铜基板很接近,在恒幅对称应变条件下焊点的抗低周疲劳的性能最佳,焊点的抗拉强度高;当时效时间大于48 h,焊接接口的抗疲劳性能和抗拉伸强度逐渐变差。     

基于ISAR技术的太赫兹目标RCS测量

对目标RCS的研究主要包括电磁计算与基于成像的测量方法.由于受到计算机内存与运行时间的限制,电磁计算方法难以在太赫兹波段得到广泛应用.在基于图像的测量中常使用逆合成孔径雷达成像技术.后向散射算法(BP)常用于目标的反射图的重建.由于BP算法不能在图像中反映太赫兹波段目标显著的角闪烁现象,因此,使用子孔径成像技术对太赫兹目标RCS进行测量,并进行了仿真验证所提出算法的有效性.     

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3单晶紫外可见近红外光学性质

通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高.     

镧掺杂BiGaO3多晶薄膜光学性质

采用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO_3(Lx BGO,0≤x≤0.1)薄膜.X-射线衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜,原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行了详细的研究,发现其光学常数符合Adachi色散模型.进一步发现其禁带宽度随着镧掺杂浓度的增加而增加,该规律与理论预言相吻合.有关LxBGO材料的研究为铋基光电器件如紫外探测器的实现提供物理基础支持.     

非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子

我们研究了非对称In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的Rxx双峰间距随倾斜角度theta的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性和特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应。     

气凝胶改性石英纤维增强有机硅透波复合材料性能

以SiO₂气凝胶、Al₂O₃气凝胶、ZrO₂气凝胶为改性剂、甲基苯基有机硅树脂为基体,石英纤维布为增强材料,制备了气凝胶改性石英/有机硅复合材料。开展热重分析、动态热机械分析、力学性能测试、介电性能、扫描电子显微镜等测试实验,研究不同气凝胶改性对石英/有机硅复合材料的热性能、力学性能和介电性能的影响。结果表明：气凝胶的加入提升了石英/有机硅复合材料的热稳定性和力学性能,其中Al₂O₃气凝胶使复合材料的力学强度提高最多,其压缩强度和弯曲强度分别为145 MPa和192 MPa,较未改性时分别提高了122%和81%;气凝胶的加入使石英/有机硅复合材料的介电常数增大,但仍均低于3.5,介电损耗角正切值均小于0.01,保持了较好的介电性能。